据小编了解，去胶工艺是微加工工艺过程中一个非常重要的工艺环节。在光刻工艺之后，我们往往需要面临显影后的底胶去除或者干法蚀刻工艺后变性的光刻胶的去除工作，这些环节中光刻胶去除的是否干净彻底以及对样片是否有损伤等将直接影响到后续工艺的进行以及器件的性能。

　　等离子去胶机的工作原理：

　　氧等离子去胶是利用氧气在微波发生器的作用下产生氧等离子体，具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应，是的有机聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，从而达到去除光刻胶的目的，这个过程我们有时候也称之为灰化或者扫胶。氧等离子去胶相比于湿法去胶工艺更为简单、适应性更好，去胶过程纯干法工艺，无液体或者有机溶剂参与。

　　市面上常见氧等离子去胶机按照频率可分为微波等离子去胶机和射频等离子去胶机两种，微波等离子去胶机的工作频率为2.45GHz，射频等离子去胶机的工作频率为13.5MHz，更高的频率决定了等离子体拥有更高的离子浓度、更小的自偏压，更高的离子浓度决定了去胶速度更快，效率更高；

　　更低的自偏压决定了其对衬底的刻蚀效应更小，也意味着去胶过程中对衬底无损伤，而射频等离子去胶机其工作原理与刻蚀机相似，结构上更加简单。因此，在光电器件的加工中，去胶机的选择更推荐使用损伤更小的微波等离子去胶机。

　　影响等离子去胶机使用的要素：

　　（一）、调整合适的频率：频率越高，氧越易电离构成等离子体。频率太高，以致电子振幅比其平均自由程还短，则电子与气体分子磕碰概率反而减少，使电离率降低。通常常用频率为13.56MHz及2.45GHZ。

　　（二）、调整合适功率：关于必定量的气体，功率大，等离子体中的的活性粒子密度也大，去胶速度也快；但当功率增大到必定值，反响所能耗费的活性离子到达饱满，功率再大，去胶速度则无显著添加。由于功率大，基片温度高，所以应根据技术需求调理功率。

　　（三）、调整适合的真空度：恰当的真空度，可使电子运动的平均自由程变大，因而从电场取得的能量就大，有利电离。别的当氧气流量必守时，真空度越高，则氧的相对份额就大，发生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高，活性粒子浓度反而会减小。

　　（四）、氧气流量的调整：氧气流量大，活性粒子密度大，去胶速率加速；但流量太大，则离子的复合概率增大，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而降低。若反响室压力不变，流量增大，则被抽出的气体量也添加，其间尚没参与反响的活性粒子抽出量也随之添加，因而流量添加对去胶速率的影响也就不甚显著。